尽管其512GB芯片的存储容量增加了一倍，但1TB NAND芯片具有相同的封装尺寸。三星可以通过堆叠16层其先进的512 Gb V-NAND闪存实现更高的存储容量。额外的存储容量还提高了读写速度。1TB eUFS 2.1 NAND芯片可提供1000MB / s的顺序读取速度和260MB / s的写入速度。

三星电子存储器销售与营销执行副总裁Cheol Choi表示：“预计1TB eUFS将在为下一代移动设备带来更像笔记本电脑的用户体验中发挥关键作用。“此外，三星致力于确保最可靠的供应链和充足的生产量，以支持及时推出即将推出的旗舰智能手机，以加速全球移动市场的增长。”

四年前，三星是业界第一个批量生产128GB NAND存储芯片的公司。虽然三星是业内首批量产1TB eUFS 2.1 NAND的公司，但它不会率先推出具有1TB存储容量的设备。该奖项是由苹果公司于去年10月推出的具有1TB存储容量的2018 iPad Pro系列产品。

除了三星之外，苹果可能还将受益于1TB NAND存储芯片的推出，因为它可以在其2019年iPhone系列中使用它们。

尽管大多数用户在其智能手机上不需要1TB的存储空间，但这些芯片的推出将导致128GB NAND芯片的价格下降，从而导致更多OEM厂商采用它们。

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