导读：操作步骤/方法11参数：CT---势垒电容Cj---结（）电容；表示在二极管两端加规定偏压下检波二极管电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压。22电容用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。伏安特性：二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线，二极管的伏安特性曲线33二极管的伏安特性曲线。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；...
操作步骤/方法
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1参数：CT---势垒电容Cj---结（）电容；表示在二极管两端加规定偏压下检波二极管电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压。
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2电容用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。伏安特性：二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线，二极管的伏安特性曲线
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3二极管的伏安特性曲线。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
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4对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
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